SiC-randring voor waferverwerking

Modern SiC-randringfabricageproces

The fabrication of SiC edge rings is a complex and precise process. First, SiC raw material powder is rigorously purified to obtain high purity (>99.999%). This powder is then formed using isostatic or dry pressing. Next, it is sintered at temperatures between 2100°C and 2400°C to form a dense ceramic body. Subsequently, it is precision-finished using diamond grinding and polishing techniques to achieve extremely low surface roughness (Ra < 0.1 µm). Finally, it undergoes rigorous cleaning and particle inspection to ensure it meets the cleanliness standards of semiconductor manufacturing.

Kerntoepassingen van de SiC-randring

De SiC Edge Ring speelt een cruciale rol in kritische waferproductiestappen zoals etsen en depositie. De primaire functie is het beschermen van de waferrand, het garanderen van procesuniformiteit over het gehele waferoppervlak en het verlengen van de levensduur van interne kamercomponenten.

Dit zijn de belangrijkste toepassingen:

Waferrandbescherming: Tijdens plasma-etsen kunnen onbeschermde waferranden een andere etssnelheid ervaren dan het centrale gebied. Dit leidt tot parameters die buiten de specificaties vallen voor chips aan de waferrand (edge ​​die), waardoor de totale opbrengst aanzienlijk wordt verlaagd. De SiC Edge Ring fungeert als een fysieke barrière die het edge plasma-effect effectief onderdrukt en een uniforme verwerking van het midden tot de rand van de wafer garandeert.

Plasmadistributiecontrole: Bij plasmagebaseerde processen hebben de dichtheid en verdeling van het plasma een directe invloed op het uiteindelijke resultaat. De aanwezigheid van de SiC Edge Ring verandert de randvoorwaarden van het plasma in de reactiekamer, wat leidt tot een gelijkmatigere plasmaverdeling over het waferoppervlak. Dit is cruciaal voor processen die een extreem hoge uniformiteit vereisen, zoals deep trench etching of meerlaags diëlektrisch etsen.

Voorkomen van besmetting en levensduur van onderdelen: Bijproducten en afzettingen kunnen zich tijdens bepaalde processen aan de rand van de wafer vormen. Als deze materialen niet worden gecontroleerd, kunnen ze de kamerwanden, de elektrostatische klauwplaat en andere dure componenten verontreinigen. De SiC Edge Ring vangt deze verontreinigingen effectief op en voorkomt dat ze zich verspreiden, waardoor waardevolle kameronderdelen worden beschermd en de frequentie van kamerreiniging wordt verminderd. Dit verhoogt op zijn beurt de uptime van de apparatuur.

Onze SiC Edge Ring is een ideaal verbruiksartikel voor plasma-ets- en dunnefilmdepositieapparatuur en helpt waferrandeffecten te elimineren, wat zorgt voor een uniforme etsing en depositie van het midden tot de rand. Bovendien beschermt de ring dure interne kamercomponenten, waardoor de opbouw van depositie wordt verminderd en de uptime van de apparatuur wordt verlengd. Tegelijkertijd wordt warmte efficiënt afgevoerd en blijft de wafertemperatuur consistent tijdens processen met hoog vermogen.

Kiezen voor Semixlab SiC Edge Ring betekent kiezen voor een hogere spaanopbrengst, stabielere productieprocessen en lagere onderhoudskosten voor apparatuur. Wij kijken ernaar uit u te voorzien van maatwerkproducten en technische ondersteuning. We stellen uw verdere vragen op prijs.